정확도
- ± (판독값의 % + 범위의 %)
- 6 1/2 자릿수 분해능, 2시간 이상 워밍업 후 자동 트리거 모드에서 측정
- 저항 측정은 4선식 또는 2선식 저항 측정 시 널(Null) 기능을 사용한 경우에 해당됩니다.
DC 전압
| 레인지 | 분해능 | 입력 저항 | 1년(23℃ ± 5℃) |
|---|---|---|---|
| 100.0000 mV | 0.1 μV | > 10 GΩ | 0.0050+0.0035 |
| 1.000000 V | 1.0 μV | > 10 GΩ | 0.0040+0.0007 |
| 10.00000 V | 10 μV | > 10 GΩ | 0.0035+0.0005 |
| 100.0000 V | 100 μV | 10 MΩ | 0.0045+0.0006 |
| 1000.000 V | 1 mV | 10 MΩ | 0.0045+0.0010 |
DC 전류
| 레인지 | 분해능 | 션트 저항 | 1년(23℃ ± 5℃) |
|---|---|---|---|
| 10.00000 mA | 10 nA | 5.1 Ω | 0.050+0.020 |
| 100.0000 mA | 100 nA | 5.1 Ω | 0.050+0.005 |
| 1.000000 A | 1 μA | 0.1 Ω | 0.100+0.010 |
| 3.000000 A | 10 μA | 0.1 Ω | 0.120+0.020 |
저항
| 레인지 | 분해능 | 측정 전류 | 1년(23℃ ± 5℃) |
|---|---|---|---|
| 100.0000 Ω | 100 μΩ | 1 mA | 0.010+0.004 |
| 1.000000 kΩ | 1mΩ | 1 mA | 0.010+0.001 |
| 10.00000 kΩ | 10 mΩ | 100 μA | 0.010+0.001 |
| 100.0000 kΩ | 100 mΩ | 10 μA | 0.010+0.001 |
| 1.000000 MΩ | 1 Ω | 5 μA | 0.010+0.001 |
| 10.00000 MΩ | 10 Ω | 500 nA | 0.040+0.001 |
| 100.0000 MΩ | 100 Ω | 500 nA||10 MΩ | 0.800+0.010 |
다이오드 테스트
| 레인지 | 분해능 | 테스트 전류 | 1년(23℃ ± 5℃) |
|---|---|---|---|
| 1.0000 V | 10 μV | 1 mA | 0.010+0.020 |
도통 테스트
| 레인지 | 분해능 | 테스트 전류 | 1년(23℃ ± 5℃) |
|---|---|---|---|
| 1 kΩ | 10 mΩ | 1 mA | 0.010+0.030 |
측정 특성
| 항목 | 사양 |
|---|---|
| DC 전압 측정: 오버레인지 | 1000 V 범위를 제외하고 20%의 오버레인지를 허용합니다. |
| DC 전압 측정: 입력 바이어스 전류 | 30 pA 미만 (25 ℃에서) |
| DC 전압 측정: 입력 전압 보호 | 모든 범위에 대해 1000 V |
| DC 전류 측정: 오버레인지 | 3 A 범위를 제외하고 20%의 오버레인지를 허용합니다. |
| 저항 측정: 사용 가능한 테스트 리드의 최대 저항값 | 10 Ω (100 Ω 범위) |
| 100 Ω (1k Ω 범위) | |
| 1k Ω (기타 범위) | |
| 저항 측정: 입력 전압 보호 | 모든 범위에 대해 1000 V |
